Conjuntos MOSFET Microchip, Canal N, Canal P-Canal TC7920K6-G, VDSS 200 V, ID 1.8 A, DFN, Mejora de 12 pines, 1, config.

Los MOSFET de canal N y canal P de alta tensión y umbral bajo de Microchip en un encapsulado DFN de 12 cables disponen de diodos de drenaje de salida de alta tensión integrados, resistencias de puerta a fuente y abrazaderas de diodo Zener de puerta a fuente, lo que los convierte en ideales para aplicaciones de pulsador de alta tensión. Estos pares de MOSFET complementarios, de alta velocidad, alta tensión, con abrazadera de puerta utilizan una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación proporciona las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, junto con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo característicos de los dispositivos MOS.

Resistencia de puerta a fuente integrada