Conjuntos MOSFET Microchip, Canal P, Canal N-Canal TC8220K6-G, VDSS 200 V, ID 2.3 A, DFN, Mejora de 12 pines, 1, config.

Los MOSFET de canal N y canal P de alta tensión y umbral bajo de Microchip en un encapsulado DFN de 12 cables disponen de resistencias de puerta a fuente integradas y abrazaderas de diodo Zener de puerta a fuente, ideales para aplicaciones de pulso de alta tensión. Estos pares complementarios de MOSFET de canal N y canal P con abrazadera de puerta de alta velocidad y alta tensión utilizan una estructura DMOS vertical avanzada junto con el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación ofrece las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, al tiempo que proporciona la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típicos de los dispositivos MOS.

Resistencia de puerta a fuente integrada