Conjuntos MOSFET Microchip, Canal P, Canal N-Canal TC8220K6-G, VDSS 200 V, ID 2.3 A, DFN, Mejora de 12 pines, 1, config.
- Código RS:
- 598-776
- Referência do fabricante:
- TC8220K6-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 3,219 € | 10 622,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 598-776
- Referência do fabricante:
- TC8220K6-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal P, Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | TC8220 | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Dos pares de canales N y P | |
| Anchura | 4 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Certificate of Compliance | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Tipo de canal Canal P, Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie TC8220 | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Dos pares de canales N y P | ||
Anchura 4 mm | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Certificate of Compliance | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Los MOSFET de canal N y canal P de alta tensión y umbral bajo de Microchip en un encapsulado DFN de 12 cables disponen de resistencias de puerta a fuente integradas y abrazaderas de diodo Zener de puerta a fuente, ideales para aplicaciones de pulso de alta tensión. Estos pares complementarios de MOSFET de canal N y canal P con abrazadera de puerta de alta velocidad y alta tensión utilizan una estructura DMOS vertical avanzada junto con el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación ofrece las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares, al tiempo que proporciona la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típicos de los dispositivos MOS.
Resistencia de puerta a fuente integrada
Diodo Zener de puerta a fuente integrado
Umbral bajo, baja resistencia encendido
Capacitancia de entrada y salida baja
Velocidad de conmutación rápida
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