MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 54 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines, config. Canal N
- Código RS:
- 481-132
- Referência do fabricante:
- STHU60N046DM9AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 481-132
- Referência do fabricante:
- STHU60N046DM9AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Serie | STHU60 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 14.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Altura | 3.6mm | |
| Longitud | 11.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Serie STHU60 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 14.1 mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Altura 3.6mm | ||
Longitud 11.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la avanzada tecnología MDmesh DM9 de superunión, diseñada para aplicaciones de media a alta tensión. Presenta una RDS(on) por área muy baja y un diodo de recuperación rápida integrado. La tecnología DM9 utiliza un proceso de fabricación multidrenaje para mejorar la estructura y el rendimiento del dispositivo. Con baja carga de recuperación (Qrr), rápido tiempo de recuperación (trr) y bajo RDS(on), este MOSFET de conmutación rápida es ideal para topologías de puente de alta eficiencia y convertidores de cambio de fase ZVS.
Baja carga de puerta y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Excelente rendimiento de conmutación gracias al pin de fuente de alimentación adicional
con cualificación AEC-Q101
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