MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 51 A, HU3PAK, N de 7 pines, config. Canal N
- Código RS:
- 481-135
- Referência do fabricante:
- STHU65N050DM9AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 481-135
- Referência do fabricante:
- STHU65N050DM9AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | STHU65 | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Longitud | 11.9mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Anchura | 14.1 mm | |
| Altura | 3.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie STHU65 | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Longitud 11.9mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Anchura 14.1 mm | ||
Altura 3.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la vanguardista tecnología MDmesh DM9 de superunión, ideal para aplicaciones de media y alta tensión. Ofrece una RDS(on) ultrabaja por área e integra un diodo de recuperación rápida. El avanzado proceso DM9 basado en silicio presenta una estructura multidrenaje que mejora el rendimiento general del dispositivo. Con una carga de recuperación (Qrr) muy baja, un tiempo de recuperación (trr) corto y una RDS(on) mínima, este MOSFET de conmutación rápida es perfectamente adecuado para topologías de puente de alta eficiencia y convertidores de cambio de fase ZVS.
Baja carga de puerta y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Excelente rendimiento de conmutación gracias al pin de fuente de alimentación adicional
con cualificación AEC-Q101
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