MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT060HU75G3AG, VDSS 750 V, ID 30 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines
- Código RS:
- 152-111
- Referência do fabricante:
- SCT060HU75G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 152-111
- Referência do fabricante:
- SCT060HU75G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Serie | SCT060HU | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 58mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±18 V | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 14.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 3.6mm | |
| Anchura | 19 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Serie SCT060HU | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 58mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±18 V | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 14.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 3.6mm | ||
Anchura 19 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Certificación AEC-Q101
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Pin de detección de fuente para mayor eficacia
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