MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT060HU75G3AG, VDSS 750 V, ID 30 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 215-240
- Referência do fabricante:
- SCT060HU75G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 215-240
- Referência do fabricante:
- SCT060HU75G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto