MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCT060HU75G3AG, VDSS 750 V, ID 30 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 215-240
- Referência do fabricante:
- SCT060HU75G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 750 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 30 A | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | SCT | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 750 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 30 A | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie SCT | ||
- COO (País de Origem):
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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