Mosfet de SiC sin diodo, Interruptor único-Canal Starpower DM400S12TDRB, VDSS 1200 V, ID 64 A, N, Cinta y carrete de 4
- Código RS:
- 427-757
- Referência do fabricante:
- DM400S12TDRB
- Fabricante:
- Starpower
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- Código RS:
- 427-757
- Referência do fabricante:
- DM400S12TDRB
- Fabricante:
- Starpower
Especificações
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Tipo de producto | Mosfet de SiC sin diodo | |
| Tipo de canal | Interruptor único | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Cinta y carrete | |
| Serie | DOSEMI | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 55.2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 268W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Tensión directa Vf | 3.85V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Tipo de producto Mosfet de SiC sin diodo | ||
Tipo de canal Interruptor único | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Cinta y carrete | ||
Serie DOSEMI | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55.2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 268W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Tensión directa Vf 3.85V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia discreta Starpower proporciona una pérdida de conducción muy baja, así como una pérdida de conmutación baja. Están diseñados para aplicaciones como vehículos híbridos y eléctricos.
MOSFET de potencia SiC
RDS(on) baja
La caja de baja inductancia evita las oscilaciones
ROHS
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