Mosfet de SiC sin diodo, Interruptor único-Canal Starpower DM170S12TDRB, VDSS 1200 V, ID 118 A, N, Cinta y carrete de 4
- Código RS:
- 427-760
- Referência do fabricante:
- DM170S12TDRB
- Fabricante:
- Starpower
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
20,34 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 27 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 20,34 € |
| 10 - 99 | 18,30 € |
| 100 + | 16,88 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 427-760
- Referência do fabricante:
- DM170S12TDRB
- Fabricante:
- Starpower
Especificações
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Tipo de producto | Mosfet de SiC sin diodo | |
| Tipo de canal | Interruptor único | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 118A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Cinta y carrete | |
| Serie | DOSEMI | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29.0mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 3.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 355W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 19 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Tipo de producto Mosfet de SiC sin diodo | ||
Tipo de canal Interruptor único | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 118A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Cinta y carrete | ||
Serie DOSEMI | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29.0mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 3.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 355W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 19 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia discreta Starpower proporciona una pérdida de conducción muy baja, así como una pérdida de conmutación baja. Están diseñados para aplicaciones como vehículos híbridos y eléctricos.
MOSFET de potencia SiC
RDS(on) baja
Tecnología de sinterización de chip
La caja de baja inductancia evita las oscilaciones
ROHS
Links relacionados
- Mosfet de SiC sin diodo, Interruptor único-Canal Starpower DM400S12TDRB, VDSS 1200 V, ID 64 A, N, Cinta y carrete de 4
- Mosfet de SiC sin diodo, Interruptor único-Canal Starpower DM800S12TDRB, VDSS 1200 V, ID 37 A, N, Cinta y carrete de 4
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 7 A, Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH12N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 7 A, Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- Cinta Carrete limpiador Tempo REEL-CLN, Carrete de 140 g
- Módulo de potencia SiC Semikron Danfoss SKKD80S12, VDSS 1200 V
- Módulo de potencia SiC onsemi, VDSS 1200 V, F1-2PACK
- Cinta Bobina de recambio para limpiador de carrete Fujikura FCC-R, Carrete para 400 aplicaciones