MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FF900R17ME7WB11BPSA1, EconoDUALTM3, Reducción
- Código RS:
- 349-321
- Referência do fabricante:
- FF900R17ME7WB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 unidade)*
780,92 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 6 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 780,92 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-321
- Referência do fabricante:
- FF900R17ME7WB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Serie | TRENCHSTOP IGBT7 | |
| Encapsulado | EconoDUALTM3 | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Serie TRENCHSTOP IGBT7 | ||
Encapsulado EconoDUALTM3 | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- HU
Módulo EconoDUAL 3 de Infineon, de 1700 V y 900 A, con IGBT7 doble TRENCHSTOP y diodo 7 controlado por emisor, NTC, tecnología de contacto PressFIT y estructura de onda en la placa base.
Terminales mejorados
Pines de control PressFIT y terminales de alimentación de tornillo
Sensor de temperatura NTC integrado
Placa base aislada
Diseño compacto y robusto con terminales moldeados
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FB50R07W2E3C36BPSA1, Reducción
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FS3L40R07W2H5FB70BPSA1, EasyPACK 2B, Reducción
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FB50R07W2E3B23BOMA1, EasyPIM, Reducción, config. Trinchera Igbt 3
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FZ1200R45HL4S7BPSA1, VDSS 4500 V, ID 1.2 kA, Bandeja, Reducción
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 0.9 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS169H6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 0.9 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble
