MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FB50R07W2E3B23BOMA1, EasyPIM, Reducción, config. Trinchera Igbt 3
- Código RS:
- 348-972
- Referência do fabricante:
- FB50R07W2E3B23BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-972
- Referência do fabricante:
- FB50R07W2E3B23BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Serie | FB50R07W2E3_B23 | |
| Encapsulado | EasyPIM | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.95V | |
| Configuración de transistor | Trinchera Igbt 3 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747, 60749, 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Serie FB50R07W2E3_B23 | ||
Encapsulado EasyPIM | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.95V | ||
Configuración de transistor Trinchera Igbt 3 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747, 60749, 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Este módulo integrado EasyPIM 2B de 650 V y 50 A para etapa PFC intercalada de Infineon integra un rectificador, un PFC de dos canales y una etapa inversora en un módulo compacto, lo que ofrece una solución que ahorra espacio para aplicaciones de potencia. Diseñado con una inductancia parásita muy baja, garantiza una pérdida de potencia mínima y una mayor eficiencia de conmutación. La tecnología H5 de alta velocidad mejora la etapa PFC, lo que proporciona mayor eficiencia y tiempos de respuesta más rápidos. Este módulo admite frecuencias de conmutación más altas, de hasta 50 kHz, para la etapa PFC, lo que permite un mejor rendimiento en aplicaciones exigentes. El transistor IGBT con la tecnología TrenchStop 3 y los 3 diodos controlados por emisor mejoran aún más la fiabilidad y la eficiencia operativa.
Diseño compacto con paquete Easy 2B
La mejor relación coste-rendimiento, que reduce los costes del sistema
Funcionamiento a alta frecuencia y menor necesidad de refrigeración
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