MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS169H6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 170 mA, Reducción, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
250-0550
Referência do fabricante:
BSS169H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

170mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12000mΩ

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie BSS de Infineon, tensión de drenaje-fuente de 100 V, corriente de drenaje continua de 0,17 A - BSS169H6327XTSA1


Este MOSFET es un transistor de canal N de modo de agotamiento en un encapsulado compacto de montaje en superficie diseñado para el control y la conmutación en conjuntos restringidos. Funciona en un amplio rango ambiente y es adecuado para entornos eléctricamente exigentes donde se requiere resistencia térmica y control de puerta de baja tensión. El dispositivo cumple la directiva RoHS y cumple una certificación de automoción para su uso en electrónica de vehículos.

Características y ventajas:


• El canal de agotamiento permite el funcionamiento normalmente encendido para circuitos a prueba de fallos
• La amplia tolerancia a la temperatura permite un funcionamiento de –55 a +150 °C
• La corriente continua baja admite un control preciso de corriente baja
• La alta tensión nominal protege contra transitorios de hasta 100 V
• El encapsulado SOT‐23 proporciona un montaje compacto en superficie

Aplicaciones


• Ideal para redes de polarización analógica y cambio de nivel
• Apto para conmutación de carga de señal pequeña en módulos de control
• Se utiliza con interfaces de sensor que requieren un comportamiento normalmente encendido
• Puede utilizarse para circuitos auxiliares de automoción conformes con AEC‐Q101
• Apto para subcircuitos de gestión de potencia compactos

¿Cuál es la tensión máxima de puerta a fuente que puede aceptar el dispositivo?


Toleran hasta 20 V entre la puerta y la fuente.

¿Cuánta potencia puede disipar durante el funcionamiento?


El dispositivo tiene una disipación de potencia máxima de 81 W.

¿Qué carga de puerta deben presupuestar los diseñadores en Vgs?


La carga de puerta total típica es de 80 nC medida en el accionamiento de puerta especificado.

¿Qué características de resistencia de encendido son relevantes para la planificación térmica?


La resistencia máxima de drenaje a fuente es de 12.000 mΩ en condiciones especificadas.

¿Está este dispositivo preparado para el montaje automatizado de placas de circuito impreso?


Sí, se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT‐23.

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