MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 0.9 A, Reducción, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0550
- Referência do fabricante:
- BSS169H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 250-0550
- Referência do fabricante:
- BSS169H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon hace que el transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N se utilice ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Se trata de un transistor de señal pequeña SIPMOS, con valor nominal dv /dt y disponible con indicador V GS(th) en el carrete.
VDS es de 100 V, Rds(on), máx. 12 W e IDSS, mín. 0,09 A
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
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