MOSFET Infineon, Tipo P-Canal FS3L40R07W2H5FB70BPSA1, EasyPACK 2B, Reducción
- Código RS:
- 348-982
- Referência do fabricante:
- FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 348-982
- Referência do fabricante:
- FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Serie | FS3L40R07W2H5F_B70 | |
| Encapsulado | EasyPACK 2B | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 2.15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | 60068, 60749, IEC 60747 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Serie FS3L40R07W2H5F_B70 | ||
Encapsulado EasyPACK 2B | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 2.15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares 60068, 60749, IEC 60747 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El módulo IGBT de puente completo NPC1 de 3 niveles EasyPACK 2B 650 V 40 A de Infineon está diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia y cuenta con tecnología CoolSiC Schottky Diode Gen 5 y TRENCHSTOP 5 H5. Este módulo ofrece una mayor capacidad de tensión de bloqueo de hasta 650 V, lo que proporciona un mayor rendimiento en sistemas de alimentación exigentes. El uso del diodo Schottky CoolSiC Gen 5 garantiza pérdidas de potencia mínimas y una eficiencia mejorada en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Permite una mayor frecuencia
Excelente eficiencia del módulo
Mejora de la eficiencia del sistema
Ventajas del coste del sistema
Reducción de los requisitos de enfriamiento
Mayor vida útil y/o mayor densidad de potencia
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