MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 170-2265
- Referência do fabricante:
- IRF7343TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*
1 684,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- Envio a partir do dia 09 de abril de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,421 € | 1 684,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 170-2265
- Referência do fabricante:
- IRF7343TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | IRF7343PbF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.96V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie IRF7343PbF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.96V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não conforme
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AUIRF7341QTR, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7341GTRPBF, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble canal N
- MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS -55 V, ID 4.7 A, SOIC de 8 pines, 2
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple
