Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC320N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 24 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

Código RS:: 349-151
Referência do fabricante:: ISC320N12LM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC320N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 24 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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Código RS:: 349-151
Referência do fabricante:: ISC320N12LM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	24A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	120V
	Serie	ISC
	Encapsulado	PG-TDSON-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	32mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.1nC
	Disipación de potencia máxima Pd	43W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 24A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V
	Serie ISC
	Encapsulado PG-TDSON-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.1nC
	Disipación de potencia máxima Pd 43W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - ISC320N12LM6ATMA1

COO (País de Origem):: CN

Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel lógico, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Registra una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia energética. El transistor ofrece un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que mejora el rendimiento de conmutación. Con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, minimiza las pérdidas por conmutación, por lo que es ideal para aplicaciones de conmutación rápida. También tiene una alta calificación en energía de avalancha, lo que garantiza su robustez en condiciones transitorias. Además, el MOSFET funciona a una temperatura de 175 °C, lo que proporciona gran resistencia térmica para aplicaciones exigentes.

Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249-2-21

Clasificación MSL 1 según J-STD-020

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC320N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 24 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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