MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC035N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 164 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-141
- Referência do fabricante:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 349-141
- Referência do fabricante:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 164A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 217W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 164A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 217W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este OptiMOS 5 FET Linear 2 de 100 V de Infineon es un MOSFET de nivel normal y canal N diseñado específicamente para aplicaciones de intercambio en caliente, protección de baterías y fusibles electrónicos. Brinda una resistencia muy baja de estado encendido (RDS(on)), lo que ayuda a minimizar las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia. El MOSFET también ofrece una amplia zona de funcionamiento seguro (SOA), lo que garantiza un rendimiento fiable en diversas condiciones operativas. Estas características lo convierten en la elección ideal para aplicaciones que requieren una gestión de potencia robusta, eficiente y fiable.
100 % a prueba de avalancha
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
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