MOSFET, N-Canal Infineon ISC035N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 164 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-141
- Referência do fabricante:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Adicione mais 20 para poupar 10,40 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
10,51 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Envio de 4794 unidade(s) a partir do dia 02 de junho de 2027
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,255 € | 10,51 € | - |
| 20 - 198 | 4,735 € | 9,47 € | 10,40 € |
| 200 - 998 | 4,36 € | 8,72 € | 179,00 € |
| 1000 - 1998 | 4,05 € | 8,10 € | 1 205,00 € |
| 2000 + | 3,625 € | 7,25 € | 3 260,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-141
- Referência do fabricante:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 164A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 217W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 164A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 217W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de la serie ISC de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 164 A - ISC035N10NM5LF2ATMA1
Características y ventajas:
• La alta corriente de drenaje continua de 164 A admite condiciones de carga exigentes
• La tensión nominal de 100 V permite el uso en etapas de potencia de tensión media
• La disipación de potencia de 217 W permite una carga térmica sostenida en espacios reducidos
• La tolerancia de puerta de ±20 V se adapta a los esquemas de accionamiento habituales con margen
• La tensión directa rápida de 1,2 V minimiza la caída de conducción de conmutación
Aplicaciones
• Ideal para inversores de motor de tracción que requieren alta corriente continua
• Se utiliza con convertidores dc-dc que necesitan interruptores de baja pérdida de conducción
• Se puede utilizar para etapas de potencia de servidor donde el montaje en superficie compacto es importante
• Apto para sistemas de gestión de baterías en instalaciones de alta potencia
¿Qué estilo de montaje se requiere en la PCB para este componente?
¿Cómo funciona el dispositivo a temperaturas ambiente extremas?
¿Qué comportamiento de conmutación deben esperar los diseñadores con respecto al accionamiento de puerta?
¿Hay normas que regulan la conformidad de los materiales y la fabricación?
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon ISC320N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 24 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon ISC110N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon ISC104N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 63 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon ISC073N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 86 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IAUCN04S7L028ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8-33 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISC750P10LMATMA1, VDSS 100 V, ID -32 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IAUCN04S7N030ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8-33 de 8 pines
