Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC110N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

Código RS:: 349-146
Referência do fabricante:: ISC110N12NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC110N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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Código RS:: 349-146
Referência do fabricante:: ISC110N12NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	62A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	120V
	Serie	ISC
	Encapsulado	PG-TDSON-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	11mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	94W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15.4nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 62A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V
	Serie ISC
	Encapsulado PG-TDSON-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 94W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.4nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - ISC110N12NM6ATMA1

COO (País de Origem):: CN

Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Registra una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia energética. El transistor ofrece un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que mejora el rendimiento de conmutación. Con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, minimiza las pérdidas por conmutación, por lo que es ideal para aplicaciones de conmutación rápida. También tiene una alta calificación en energía de avalancha, lo que garantiza su robustez en condiciones transitorias. Además, el MOSFET funciona a una temperatura de 175 °C, lo que proporciona gran resistencia térmica para aplicaciones exigentes.

Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249-2-21

Clasificación MSL 1 según J-STD-020

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC110N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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