MOSFET de canal N, Tipo N-Canal Infineon ISC078N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 85 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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Código RS:
349-145
Referência do fabricante:
ISC078N12NM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

85A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

ISC

Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Registra una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia energética. El transistor ofrece un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que mejora el rendimiento de conmutación. Con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, minimiza las pérdidas por conmutación, por lo que es ideal para aplicaciones de conmutación rápida. También tiene una alta calificación en energía de avalancha, lo que garantiza su robustez en condiciones transitorias. Además, el MOSFET funciona a una temperatura de 175 °C, lo que proporciona gran resistencia térmica para aplicaciones exigentes.

Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249-2-21

Clasificación MSL 1 según J-STD-020

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