MOSFET, N-Canal Infineon IPD60R180CM8XTMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (5 unidades, em pack de 5)*

13,93 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 2500 unidade(s) a partir do dia 11 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 452,786 €13,93 €
50 - 952,644 €13,22 €
100 - 4952,45 €12,25 €
500 - 9952,254 €11,27 €
1000 +2,174 €10,87 €

*preço indicativo

Código RS:
348-988
Referência do fabricante:
IPD60R180CM8XTMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.18Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Disipación de potencia máxima Pd

127W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 18 A - IPD60R180CM8XTMA1


Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y conversión de potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para entornos electrónicos exigentes en los que se requiere un manejo de tensión robusto y un montaje compacto.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje a fuente de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 18 A admite corrientes de carga sustanciales
• La baja resistencia de conexión de 0,18 Ω reduce las pérdidas por conducción en circuitos de potencia
• La disipación máxima de 127 W permite un mayor rendimiento de potencia
• El umbral de puerta de 20 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• La carga de puerta típica de 17 nC permite una conmutación rápida con energía de accionamiento gestionable

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con convertidores dc-dc en sistemas de gestión de energía
• Puede utilizarse para frontales de inversor en instalaciones renovables
• Adecuado para módulos de potencia compactos de montaje en superficie

¿Qué tipo de encapsulado se utiliza para un montaje eficiente de la placa de circuito impreso?


Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie de estilo TO-252 con tres pines para un montaje de placa simplificado.

¿Cómo resiste las condiciones ambientales extremas?


El dispositivo está diseñado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, y admite temperaturas de unión elevadas en diseños con limitaciones térmicas.

¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta deben tenerse para el rendimiento de conmutación?


Los circuitos de accionamiento deben proporcionar una excursión de puerta a fuente de hasta 20 V y tener en cuenta la carga de puerta de 17 nC al dimensionar la corriente del controlador y los tiempos de transición.

¿Es este dispositivo adecuado para sistemas con certificación de automoción?


No está especificado para cumplir los estándares de automoción y debe evaluarse frente a los requisitos normativos de automoción antes de su uso en sistemas de vehículos certificados.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.