MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 4.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3010
- Referência do fabricante:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
6,11 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2470 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,611 € | 6,11 € |
| 50 - 90 | 0,517 € | 5,17 € |
| 100 - 240 | 0,481 € | 4,81 € |
| 250 - 990 | 0,47 € | 4,70 € |
| 1000 + | 0,462 € | 4,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-3010
- Referência do fabricante:
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 26W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 26W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión MOS PFD7 de 600 V frío de Infineon complementa la oferta de MOS 7 frío para aplicaciones de consumo. Los productos se suministran con un diodo de cuerpo rápido integrado que garantiza un dispositivo robusto. El diodo de cuerpo rápido y el paquete SMD líder del sector de Infineon
Reducción de costes BOM y fabricación sencilla
Robustez y fiabilidad
Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para un ajuste fino del diseño
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R1K0PFD7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 4.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 4.3 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID -4.2 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines