MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo P-Canal, VDSS -20 V, ID 500 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
152-7150
Referência do fabricante:
PMDXB950UPELZ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET de trinchera

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

500mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Serie

Trench MOSFET

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

4025mW

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Anchura

1.05 mm

Altura

0.36mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.

MOSFET Trench de canal P doble, 20 V, Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010B-6 (SOT1216) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Corriente de fugas baja

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 1 kV HBM

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 1,02 Ω

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado alto

Circuitos de conmutación

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