IGBT, FP25R12W2T7B11BPSA1, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EasyPIM, 23-Pines 7
- Código RS:
- 226-6059
- Referência do fabricante:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6059
- Referência do fabricante:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 25 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Número de transistores | 7 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 mW | |
| Tipo de Encapsulado | EasyPIM | |
| Configuración | Hex. | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 23 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 25 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Número de transistores 7 | ||
Disipación de Potencia Máxima 20 mW | ||
Tipo de Encapsulado EasyPIM | ||
Configuración Hex. | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 23 | ||
El módulo IGBT PIM Infineon 25 A tiene un diseño compacto y utiliza tecnología DE contacto PRESSFIT. Tiene una tensión de conexión baja VCEsat.
Funcionamiento con sobrecarga hasta 175 °C.
Aislamiento de 2,5 kV ac 1min
Sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica
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