MOSFET de trinchera Nexperia, Tipo P-Canal PMDXB950UPELZ, VDSS -20 V, ID 500 mA, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config.

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

5,175 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 7075 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 +0,207 €5,18 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
152-8344
Referência do fabricante:
PMDXB950UPELZ
Fabricante:
Nexperia
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET de trinchera

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

500mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Encapsulado

DFN

Serie

Trench MOSFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

4025mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Anchura

1.05 mm

Altura

0.36mm

Longitud

1.15mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.

MOSFET Trench de canal P doble, 20 V, Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P doble en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) DFN1010B-6 (SOT1216) ultrapequeño y sin plomo que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Corriente de fugas baja

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica

Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 1 kV HBM

Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 1,02 Ω

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado alto

Circuitos de conmutación

Links relacionados