IGBT, FP15R12W1T7B11BOMA1, N-Canal, 15 A, 1.200 V, EasyPIM, 23-Pines 7
- Código RS:
- 226-6056
- Referência do fabricante:
- FP15R12W1T7B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 48 + | 26,091 € | 626,18 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 226-6056
- Referência do fabricante:
- FP15R12W1T7B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 15 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Número de transistores | 7 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 mW | |
| Tipo de Encapsulado | EasyPIM | |
| Configuración | Hex. | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 23 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 15 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Número de transistores 7 | ||
Disipación de Potencia Máxima 20 mW | ||
Tipo de Encapsulado EasyPIM | ||
Configuración Hex. | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 23 | ||
El módulo IGBT PIM Infineon 15 A tiene mayor densidad de potencia y menor coste del sistema. Tiene baja tensión de conexión VCEsat y VF.
Capacidad de control mejorada de dv/dt
Pérdidas de conmutación optimizadas para dv/dt 5kV/μs
resistencia a cortocircuitos de 8 μs
Pérdidas de conmutación optimizadas para dv/dt 5kV/μs
resistencia a cortocircuitos de 8 μs
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