MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT020H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 100 A, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 330-232
- Referência do fabricante:
- SCT020H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
25,26 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 990 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 25,26 € |
| 10 - 99 | 22,74 € |
| 100 + | 20,96 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 330-232
- Referência do fabricante:
- SCT020H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT0 | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18.5mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 555W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 121nC | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT0 | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.5mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 555W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 121nC | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología SiC MOSFET avanzada e innovadora de 3ra. generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Cualificado AEC-Q101
RDS(on) muy bajo en toda la gama de temperaturas
Alta velocidad de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Clavija de detección de la fuente para aumentar la eficiencia
Links relacionados
- MOSFET STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 55 A, H2PAK-7
- MOSFET STMicroelectronics SCT025H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 55 A, H2PAK-7
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT025H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 30 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines