MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines, 1

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Código RS:
219-4223
Referência do fabricante:
SCTH70N120G2V-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCTH70N

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.21Ω

Número de elementos por chip

1

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET Sic avanzada e innovadora de 2a generación de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión notablemente baja por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de la unión.

Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Carga de puerta y capacitancia de entrada extremadamente bajas