MOSFET ROHM, N-Canal QH8KE5TCR, VDSS 100 V, TSMT-8, Mejora de 8 pines, 2

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Opções de embalagem:
Código RS:
264-562
Referência do fabricante:
QH8KE5TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

QH8

Encapsulado

TSMT-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

202mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de doble canal N de 100 V y 2,0 A de ROHM en un encapsulado TSMT8 está diseñado para aplicaciones de accionamiento de motores y fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia.

Baja resistencia

Embalaje pequeño de montaje en superficie TSMT8

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

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