MOSFET, N-Canal ROHM QH8KC5TCR, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- Código RS:
- 235-2668
- Referência do fabricante:
- QH8KC5TCR
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 235-2668
- Referência do fabricante:
- QH8KC5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSMT-8 | |
| Serie | QH8KC5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 850μm | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSMT-8 | ||
Serie QH8KC5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 850μm | ||
Longitud 3.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble ROHM compatible con tensión no disruptiva de 60V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Este producto consta de un MOSFET de canal N de resistencia de conexión baja que se reduce un 58 %. Esto contribuye al bajo consumo de potencia de varios dispositivos.
Encapsulado pequeño para montaje superficial
Chapado de cable sin plomo
En conformidad con RoHS
Sin halógenos
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