MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal QS8M51HZGTR, VDSS 100 V, TSMT-8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 264-789
- Referência do fabricante:
- QS8M51HZGTR
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 264-789
- Referência do fabricante:
- QS8M51HZGTR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TSMT-8 | |
| Serie | QS8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TSMT-8 | ||
Serie QS8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El ROHM 100V Dual Nch plus Pch Small Signal es un MOSFET para aplicaciones de conmutación. Se trata de un producto de alta fiabilidad de grado de automoción con certificación AEC-Q101.
Baja resistencia
Envase pequeño de montaje en superficie
Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS
Calificación AEC-Q101
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