MOSFET, N-Canal onsemi NXH011F120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 105 A, Mejora, PIM34 de 34 pines
- Código RS:
- 220-578
- Referência do fabricante:
- NXH011F120M3F2PTHG
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 105A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PIM34 | |
| Serie | NXH | |
| Número de pines | 34 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 6.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 284nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 244W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 105A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PIM34 | ||
Serie NXH | ||
Número de pines 34 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 6.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 284nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 244W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un puente completo MOSFET de SiC de 11 m ohm / 1200 V y un termistor con HPS DBC en un encapsulado F2.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
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