MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH030F120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 38 A, Mejora, PIM22 de 22 pines
- Código RS:
- 277-054
- Referência do fabricante:
- NXH030F120M3F1PTG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
87,36 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 28 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 87,36 € |
| 10 + | 78,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 277-054
- Referência do fabricante:
- NXH030F120M3F1PTG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PIM22 | |
| Serie | NXH | |
| Tipo de montaje | Montaje de encaje a presión | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34.2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PIM22 | ||
Serie NXH | ||
Tipo de montaje Montaje de encaje a presión | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34.2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de alimentación de ON Semiconductor contiene un puente completo MOSFET de SiC de 30 mΩ y 1200 V y un termistor, con un DBC (Direct Bonded Copper) de Al2O3 en un encapsulado F1. Este módulo de alto rendimiento está diseñado para una conversión de energía eficiente y es ideal para aplicaciones como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales.
Sin Pb
Sin halogenuros y conforme a RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMDQ75R140M1HXUMA1, VDSS 750 V, ID 38 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH008P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 145 A, Mejora, PIM18 de 18 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH015P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 77 A, Mejora, PIM18 de 18 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH010P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 105 A, Mejora, PIM18 de 18 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH030P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 42 A, Mejora, PIM18 de 18 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH008T120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 129 A, Mejora, PIM29 de 29 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH011F120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 105 A, Mejora, PIM34 de 34 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH006P120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 191 A, Mejora, PIM36 de 36 pines