MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 105 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 221-6719
- Referência do fabricante:
- NTMFS005N10MCLT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Disponibilidade limitada
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- Código RS:
- 221-6719
- Referência do fabricante:
- NTMFS005N10MCLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 105A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTMFS005N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | Beryllium Free, Pb-Free, RoHS | |
| Altura | 6.3mm | |
| Longitud | 5.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 105A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTMFS005N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Certificaciones y estándares Beryllium Free, Pb-Free, RoHS | ||
Altura 6.3mm | ||
Longitud 5.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia industrial DE on Semiconductor en un encapsulado de cable plano 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
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