MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH008P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 145 A, Mejora, PIM18 de 18 pines
- Código RS:
- 277-050
- Referência do fabricante:
- NXH008P120M3F1PTG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
89,22 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 28 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 89,22 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 277-050
- Referência do fabricante:
- NXH008P120M3F1PTG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 145A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | NXH | |
| Encapsulado | PIM18 | |
| Tipo de montaje | Montaje de encaje a presión | |
| Número de pines | 18 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 6.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34.2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 419nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 145A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie NXH | ||
Encapsulado PIM18 | ||
Tipo de montaje Montaje de encaje a presión | ||
Número de pines 18 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 6.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34.2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 419nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de alimentación de ON Semiconductor contiene un semipuente MOSFET SiC de 8 mΩ y 1200 V y un termistor, todo ello alojado en un encapsulado F1. Este módulo está diseñado para aplicaciones de alimentación de alta eficiencia, por lo que es ideal para su uso en inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales.
Pasadores a presión
Sin Pb
Sin halogenuros y conforme a RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH015P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 77 A, Mejora, PIM18 de 18 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH010P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 105 A, Mejora, PIM18 de 18 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH030P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 42 A, Mejora, PIM18 de 18 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 145 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDD8444, VDSS 40 V, ID 145 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 145 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH008T120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 129 A, Mejora, PIM29 de 29 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH030F120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 38 A, Mejora, PIM22 de 22 pines