MOSFET, N-Canal onsemi NTBL075N065SC1, VDSS 650 V, ID 37 A, Mejora, HPSOF-8L de 8 pines

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Código RS:
220-564
Referência do fabricante:
NTBL075N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

37A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

HPSOF-8L

Serie

NTBL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

85mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22.6V

Tensión directa Vf

4.4V

Disipación de potencia máxima Pd

139W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2.3mm

Anchura

10.38mm

Longitud

9.9mm

COO (País de Origem):
PH
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de conexión y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.

Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia

Compatible con RoHS

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