MOSFET, N-Canal onsemi NTBL075N065SC1, VDSS 650 V, ID 37 A, Mejora, HPSOF-8L de 8 pines
- Código RS:
- 220-564
- Referência do fabricante:
- NTBL075N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 220-564
- Referência do fabricante:
- NTBL075N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | HPSOF-8L | |
| Serie | NTBL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 85mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22.6V | |
| Tensión directa Vf | 4.4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.38mm | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado HPSOF-8L | ||
Serie NTBL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 85mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22.6V | ||
Tensión directa Vf 4.4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 9.9mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.38mm | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de conexión y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
Compatible con RoHS
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