MOSFET, N-Canal onsemi NTBL023N065M3S, VDSS 650 V, ID 77 A, N, HPSOF-8L de 8 pines
- Código RS:
- 333-415
- Referência do fabricante:
- NTBL023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 1 unidade)*
14,46 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 1993 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,46 € |
| 10 - 99 | 13,02 € |
| 100 + | 12,01 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 333-415
- Referência do fabricante:
- NTBL023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 77A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32.6mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.38mm | |
| Certificaciones y estándares | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 77A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32.6mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.38mm | ||
Certificaciones y estándares Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Longitud 9.9mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de SiC de ON Semiconductor, optimizado para aplicaciones de interruptores de alta eficiencia, ofrece bajas pérdidas de conducción y un sólido rendimiento térmico. Su avanzado diseño mejora la fiabilidad en los sistemas de alimentación más exigentes, manteniendo un embalaje compacto. Este dispositivo garantiza un funcionamiento eficaz con una disipación de energía mínima.
Paquete H PSOF8L
Conforme a RoHS
Sin Pb
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL032N065M3S, VDSS 650 V, ID 55 A, N, HPSOF-8L de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL075N065SC1, VDSS 650 V, ID 37 A, Mejora, HPSOF-8L de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL060N065SC1, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, HPSOF-8L de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, HPSOF-8L de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL045N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, HPSOF-8L de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 77 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R041C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 77 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 16 A, N, TDFN de 8 pines