MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL032N065M3S, VDSS 650 V, ID 55 A, N, HPSOF-8L de 8 pines
- Código RS:
- 333-416
- Referência do fabricante:
- NTBL032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
7,73 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1990 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,73 € |
| 10 - 99 | 6,97 € |
| 100 - 499 | 6,42 € |
| 500 - 999 | 5,95 € |
| 1000 + | 4,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 333-416
- Referência do fabricante:
- NTBL032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | EliteSiC | |
| Encapsulado | HPSOF-8L | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.38 mm | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie EliteSiC | ||
Encapsulado HPSOF-8L | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.38 mm | ||
Longitud 9.9mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de SiC de ON Semiconductor, diseñado para interruptores de potencia eficientes, ofrece bajas pérdidas por conducción y un rendimiento térmico mejorado. Su estructura compacta garantiza un funcionamiento fiable en aplicaciones de alta potencia, al tiempo que minimiza las necesidades de espacio. Este dispositivo está optimizado para la eficiencia energética, reduciendo la disipación total de energía del sistema.
Paquete H PSOF8L
Conforme a RoHS
Sin Pb
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL023N065M3S, VDSS 650 V, ID 77 A, N, HPSOF-8L de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL075N065SC1, VDSS 650 V, ID 37 A, Mejora, HPSOF-8L de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL060N065SC1, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, HPSOF-8L de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, HPSOF-8L de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL045N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, HPSOF-8L de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 55 A, N, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L045N065SC1, VDSS 650 V, ID 55 A, N, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, N, TDFN de 8 pines
