MOSFET, N-Canal onsemi NTBL032N065M3S, VDSS 650 V, ID 55 A, N, HPSOF-8L de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
333-416
Referência do fabricante:
NTBL032N065M3S
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

HPSOF-8L

Serie

EliteSiC

Número de pines

8

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Tensión directa Vf

6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

9.9mm

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

Anchura

10.38mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
PH
El MOSFET de SiC de ON Semiconductor, diseñado para interruptores de potencia eficientes, ofrece bajas pérdidas por conducción y un rendimiento térmico mejorado. Su estructura compacta garantiza un funcionamiento fiable en aplicaciones de alta potencia, al tiempo que minimiza las necesidades de espacio. Este dispositivo está optimizado para la eficiencia energética, reduciendo la disipación total de energía del sistema.

Paquete H PSOF8L

Conforme a RoHS

Sin Pb

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