onsemi JFET, MMBFJ201, N-Canal, JFET-Canal, 30 V, Simple 0.3 → 1.5 mA, SOT-23, 3 pines
- Código RS:
- 761-3688
- Referência do fabricante:
- MMBFJ201
- Fabricante:
- onsemi
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*preço indicativo
- Código RS:
- 761-3688
- Referência do fabricante:
- MMBFJ201
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo Sub | JFET | |
| Tipo de producto | JFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 0.3 → 1.5 mA | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 225mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -40V | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.92mm | |
| Altura | 930μm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo Sub JFET | ||
Tipo de producto JFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 0.3 → 1.5 mA | ||
Disipación de potencia máxima Pd 225mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -40V | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.92mm | ||
Altura 930μm | ||
Estándar de automoción No | ||
On Semiconductor MMBFJ201 es un amplificador N-Channel diseñado para aplicaciones de audio de bajo nivel y uso general.
El MMBFJ201 viene en un paquete de 3 pines SOT-23.
Versiones disponibles:
761-3688 - paquete de 25
166-1840 - carrete de 3000
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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