JFET, MMBFJ201, N-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 761-3688
- Referência do fabricante:
- MMBFJ201
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,243 € | 6,08 € |
| 100 - 225 | 0,21 € | 5,25 € |
| 250 - 475 | 0,182 € | 4,55 € |
| 500 - 975 | 0,16 € | 4,00 € |
| 1000 + | 0,146 € | 3,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 761-3688
- Referência do fabricante:
- MMBFJ201
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 0.3 to 1.5mA | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -40 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | 40V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Dimensiones | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Ancho | 1.3mm | |
| Altura | 0.93mm | |
| Longitud | 2.92mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 0.3 to 1.5mA | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -40 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador 40V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Dimensiones 2.92 x 1.3 x 0.93mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Ancho 1.3mm | ||
Altura 0.93mm | ||
Longitud 2.92mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
On Semiconductor MMBFJ201 es un amplificador N-Channel diseñado para aplicaciones de audio de bajo nivel y uso general.
El MMBFJ201 viene en un paquete de 3 pines SOT-23.
El MMBFJ201 viene en un paquete de 3 pines SOT-23.
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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