onsemi JFET, MMBFJ309LT1G, Tipo N-Canal, JFET-Canal, 25 V, Simple 12 to 30 mA, SOT-23, 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
773-7819
Referência do fabricante:
MMBFJ309LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

JFET

Tipo de canal

Tipo N

Tipo Sub

JFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-23

Disipación de potencia máxima Pd

225mW

Número de pines

3

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Corriente de fuente de drenaje Ids

12 to 30 mA

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Altura

1.01mm

Estándar de automoción

No

JFET de canal N, ON Semiconductor


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Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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