JFET, MMBFJ177LT1G, P-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

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Código RS:
163-0963
Referência do fabricante:
MMBFJ177LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

1.5 to 20mA

Tensión Máxima Puerta-Drenador

25V dc

Configuración de transistor

Simple

Configuración

Único

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 Ω

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Conteo de Pines

3

Capacidad Fuente-Puerta

11pF

Dimensiones

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Ancho

1.4mm

Altura

1.01mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

3.04mm

COO (País de Origem):
CN

JFET de canal P, ON Semiconductor



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Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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