onsemi JFET, MMBFJ177LT1G, Tipo P-Canal, JFET-Canal, -25 V dc, Simple 1.5 → 20 mA, SOT-23, 3 pines
- Código RS:
- 163-0963
- Referência do fabricante:
- MMBFJ177LT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 163-0963
- Referência do fabricante:
- MMBFJ177LT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo Sub | JFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | JFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -25V dc | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V dc | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 1.5 → 20 mA | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 225mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Altura | 1.01mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo Sub JFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto JFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -25V dc | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V dc | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 1.5 → 20 mA | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 225mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4mm | ||
Altura 1.01mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
JFET de canal P, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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