Toshiba JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 0.3 to 0.75 mA, SOT-346, 3 pines
- Código RS:
- 760-3123
- Referência do fabricante:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
3,58 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 230 unidade(s) para enviar a partir do dia 14 de setembro de 2026
- Mais 2280 unidade(s) para enviar a partir do dia 21 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,358 € | 3,58 € |
| 100 - 190 | 0,24 € | 2,40 € |
| 200 - 390 | 0,217 € | 2,17 € |
| 400 + | 0,214 € | 2,14 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 760-3123
- Referência do fabricante:
- 2SK208-R(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo Sub | JFET | |
| Tipo de producto | JFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 10V | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-346 | |
| Número de pines | 3 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 0.3 to 0.75 mA | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100kΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.5mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo Sub JFET | ||
Tipo de producto JFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 10V | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-346 | ||
Número de pines 3 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 0.3 to 0.75 mA | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100kΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.5mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
Links relacionados
- Toshiba JFET, 2SK209-Y(TE85L,F), Tipo N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 1.2 to 3 mA, SOT-346, 3 pines
- Toshiba Transistor 2SC3326-A(TE85L,F) 300 mA 20 V NPN SOT-346, 3 pines Simple
- Toshiba Transistor, 2SK209-GR(TE85L,F), Tipo N-Canal, Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido-Canal, 10 V, Tipo de
- Toshiba Transistor, 2SK2145-BL(TE85L,F), Tipo N-Canal, 10 V, Tipo de unión 14 mA, SMV, 5 pines
- onsemi JFET, Tipo N-Canal, JFET-Canal, 30 V, Simple 0.3 to 1.5 mA, SOT-23, 3 pines
- onsemi JFET, MMBFJ201, Tipo N-Canal, JFET-Canal, 30 V, Simple 0.3 to 1.5 mA, SOT-23, 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, Mejora, USM de 3 pines
- Toshiba Diodo, CRS10I30A(TE85L,QM, Diodo Schottky, 1 A, 30 V, S-FLAT, 2 pines