Toshiba JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 0.3 to 0.75 mA, SOT-346, 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
760-3123
Referência do fabricante:
2SK208-R(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

JFET

Tipo Sub

JFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

10V

Configuración

Simple

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SOT-346

Disipación de potencia máxima Pd

100mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100kΩ

Corriente de fuente de drenaje Ids

0.3 to 0.75 mA

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Longitud

2.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.5mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA


Transistores JFET


Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

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