Toshiba Transistor, 2SK209-GR(TE85L,F), Tipo N-Canal, Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido-Canal, 10 V, Tipo de
- Código RS:
- 236-3556
- Referência do fabricante:
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
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| 100 - 225 | 0,337 € | 8,43 € |
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| 1000 + | 0,303 € | 7,58 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 236-3556
- Referência do fabricante:
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | Transistor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo Sub | Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 10V | |
| Configuración | Tipo de unión | |
| Encapsulado | S-MINI | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -50 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150mW | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 25°C | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 14 mA | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Serie | 2SK209 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto Transistor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo Sub Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 10V | ||
Configuración Tipo de unión | ||
Encapsulado S-MINI | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -50 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150mW | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 25°C | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 14 mA | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Serie 2SK209 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo de unión de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de amplificador de ruido bajo de frecuencia de audio.
Bajo ruido
Encapsulado pequeño
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