Toshiba Transistor, 2SK209-GR(TE85L,F), Tipo N-Canal, Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido-Canal, 10 V, Tipo de
- Código RS:
- 236-3554
- Referência do fabricante:
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
519,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 3000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,173 € | 519,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 236-3554
- Referência do fabricante:
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor | |
| Tipo Sub | Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 10V | |
| Configuración | Tipo de unión | |
| Encapsulado | S-MINI | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -50 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150mW | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 25°C | |
| Corriente de fuente de drenaje Ids | 14 mA | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | 2SK209 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor | ||
Tipo Sub Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 10V | ||
Configuración Tipo de unión | ||
Encapsulado S-MINI | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -50 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150mW | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 25°C | ||
Corriente de fuente de drenaje Ids 14 mA | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie 2SK209 | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo de unión de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de amplificador de ruido bajo de frecuencia de audio.
Bajo ruido
Encapsulado pequeño
Links relacionados
- Toshiba Transistor, 2SK209-GR(TE85L,F), Tipo N-Canal, Amplificador de audiofrecuencia de bajo ruido-Canal, 10 V, Tipo de
- Toshiba JFET, 2SK209-Y(TE85L,F), Tipo N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 1.2 to 3 mA, SOT-346, 3 pines
- Toshiba JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Tipo N-Canal, JFET-Canal, 10 V, Simple 0.3 to 0.75 mA, SOT-346, 3 pines
- Toshiba Transistor, 2SK2145-BL(TE85L,F), Tipo N-Canal, 10 V, Tipo de unión 14 mA, SMV, 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba 2SK1829(TE85L,F), VDSS 20 V, ID 50 mA, Mejora, USM de 3 pines
- Toshiba Diodo, CRS10I30A(TE85L,QM, Diodo Schottky, 1 A, 30 V, S-FLAT, 2 pines
- Toshiba Transistor 2SC3326-A(TE85L,F) 300 mA 20 V NPN SOT-346, 3 pines Simple
- Optoacoplador Toshiba TLP de 1 canal, Vf= 1.4V, IN. DC, OUT. Transistor, mont. superficial, 4 pines