Módulo IGBT, SKM150GAR12T4 , N-Canal, 232 A, 1200 V, SEMITRANS2, 5-Pines Simple
- Código RS:
- 687-4955
- Referência do fabricante:
- SKM150GAR12T4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 687-4955
- Referência do fabricante:
- SKM150GAR12T4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 232 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Tipo de Encapsulado | SEMITRANS2 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 5 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 94 x 34 x 30.1mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
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|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 232 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Tipo de Encapsulado SEMITRANS2 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 5 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 94 x 34 x 30.1mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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