Semikron Danfoss Módulo IGBT4, SKM400GAL12E4, Tipo N-Canal, 40 A, 1200 V, SEMITRANS3, 5 pines Superficie, 12 kHz

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo IGBT
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

268,40 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 12 unidade(s) a partir do dia 07 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 9268,40 €
10 - 19255,25 €
20 - 49242,36 €
50 - 249230,29 €
250 +219,01 €

*preço indicativo

Código RS:
687-4989
Referência do fabricante:
SKM400GAL12E4
Fabricante:
Semikron Danfoss
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Semikron Danfoss

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tipo de producto

Módulo IGBT4

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Encapsulado

SEMITRANS3

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

5

Velocidad de conmutación

12kHz

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.4V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

106.4mm

Altura

30.5mm

Certificaciones y estándares

IEC 60747-1, UL E63532

Serie

SEMITRANS 3 GAL

Anchura

61.4 mm

Estándar de automoción

No

Módulos IGBT simples


Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.

Módulos IGBT, Semikron


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Links relacionados