Semikron Danfoss Módulo rápido IGBT4, SKM150GAL12T4, Tipo N-Canal, 232 A, 1200 V, SEMITRANS2, 5 pines Superficie, 180 ns
- Código RS:
- 687-4951
- Referência do fabricante:
- SKM150GAL12T4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- Código RS:
- 687-4951
- Referência do fabricante:
- SKM150GAL12T4
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 232A | |
| Tipo de producto | Módulo rápido IGBT4 | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Encapsulado | SEMITRANS2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 5 | |
| Velocidad de conmutación | 180ns | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 34 mm | |
| Longitud | 94mm | |
| Serie | GAL | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60747-1 | |
| Altura | 30.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 232A | ||
Tipo de producto Módulo rápido IGBT4 | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Encapsulado SEMITRANS2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 5 | ||
Velocidad de conmutación 180ns | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 34 mm | ||
Longitud 94mm | ||
Serie GAL | ||
Certificaciones y estándares IEC 60747-1 | ||
Altura 30.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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