Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM150GB12T4, Tipo N-Canal, 232 A, 1200 V, SEMITRANS, 7 pines Panel, 20 kHz 2

Ver tudo IGBT
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

124,83 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 11 unidade(s) para enviar a partir do dia 13 de abril de 2026
  • Mais 48 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 1124,83 €
2 - 4118,58 €
5 - 993,11 €
10 - 1983,01 €
20 +79,58 €

*preço indicativo

Código RS:
687-4964
Referência do fabricante:
SKM150GB12T4
Fabricante:
Semikron Danfoss
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Semikron Danfoss

Corriente continua máxima de colector Ic

232A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

2

Encapsulado

SEMITRANS

Tipo de montaje

Panel

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

7

Velocidad de conmutación

20kHz

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.05V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-40°C

Serie

SKM150GB12T4

Altura

30.1mm

Longitud

94mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
SK

Módulos IGBT dobles


Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Encapsulado SEMITOP® compacto

Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz

Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa

Módulos IGBT, Semikron


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Links relacionados