IGBT, STGSB200M65DF2AG, NPN-Canal, 200 A, 650 V, ECOPACK, 9-Pines 2
- Código RS:
- 273-5094
- Referência do fabricante:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
18,01 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 200 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,01 € |
| 10 - 49 | 17,11 € |
| 50 - 99 | 16,24 € |
| 100 - 149 | 15,43 € |
| 150 + | 14,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-5094
- Referência do fabricante:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 200 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 714 W | |
| Tipo de Encapsulado | ECOPACK | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | NPN | |
| Conteo de Pines | 9 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 200 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de Potencia Máxima 714 W | ||
Tipo de Encapsulado ECOPACK | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal NPN | ||
Conteo de Pines 9 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La serie M IGBT de baja pérdida de parada de campo de puerta de trinchera de grado de automoción de STMicroelectronics en un encapsulado ACEPACK SMIT. Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera propietaria avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Distribución de parámetros estrecha
Baja resistencia térmica
Dados en sustrato de cobre de unión directa (DBC)
Baja resistencia térmica
Dados en sustrato de cobre de unión directa (DBC)
Links relacionados
- IGBT, STGSB200M65DF2AG, NPN-Canal, 200 A, 650 V, ECOPACK, 9-Pines 2
- IGBT, GD200HFX65C2S, N-Canal, 200 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD200HFX65C1S, N-Canal, 200 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
- Módulo IGBT, FF150R12YT3BOMA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, EASY2, 9-Pines, 1MHZ Serie
- IGBT, GD150MLX65L3S, N-Canal, 150 A, 650 V
- IGBT, DG10X06T1, N-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pines 1
- IGBT, FGH4L50T65SQD, 200 A, 650 V, TO-247-4LD 30