STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGSB200M65DF2AG Simple, NPN-Canal, 216 A, 650 V, ECOPACK, 9 pines 2 Superficie
- Código RS:
- 273-5094
- Referência do fabricante:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
17,93 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 200 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 17,93 € |
| 10 - 49 | 17,03 € |
| 50 - 99 | 16,16 € |
| 100 - 149 | 15,36 € |
| 150 + | 14,58 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-5094
- Referência do fabricante:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 216A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 714W | |
| Configuración | Simple | |
| Encapsulado | ECOPACK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | NPN | |
| Número de pines | 9 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.05V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 4mm | |
| Altura | 5.5mm | |
| Certificaciones y estándares | UL1557 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 216A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 714W | ||
Configuración Simple | ||
Encapsulado ECOPACK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal NPN | ||
Número de pines 9 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 4mm | ||
Altura 5.5mm | ||
Certificaciones y estándares UL1557 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La serie M IGBT de baja pérdida de parada de campo de puerta de trinchera de grado de automoción de STMicroelectronics en un encapsulado ACEPACK SMIT. Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera propietaria avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Distribución de parámetros estrecha
Baja resistencia térmica
Dados en sustrato de cobre de unión directa (DBC)
Links relacionados
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGSB200M65DF2AG Simple, NPN-Canal, 216 A, 650 V, ECOPACK, 9 pines 2 Superficie
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGWA50M65DF2AG Simple, Tipo N-Canal, 119 A, 650 V, TO-247, 3 pines 1 Orificio pasante
- AEC-Q101 IGBT, FGB40T65SPD_F085, N-Canal, 40 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 2+Tab-Pines 1 Simple
- AEC-Q101 IGBT, FGB40T65SPD_F085, P-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 2+Tab-Pines 1 Simple
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, 30 A, 650 V, H2PAK-2 Orificio pasante
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGH30H65DFB-2AG, 30 A, 650 V, H2PAK-2 Orificio pasante
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGHU30M65DF2AG Puerta doble, 84 A, 650 V, HU3PAK, 7 pines 1 Superficie
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, GH50H65DRB2-7AG, 108 A, 650 V, H2PAK-7, 7 pines 1 Superficie