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    AEC-Q101 IGBT, FGB40T65SPD_F085, N-Canal, 40 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 2+Tab-Pines 1 Simple

    Código RS:
    135-8687
    Referência do fabricante:
    FGB40T65SPD_F085
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    ON Semiconductor
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    Produto Descatalogado
    Código RS:
    135-8687
    Referência do fabricante:
    FGB40T65SPD_F085
    Fabricante:
    ON Semiconductor

    Legislação e Conformidade


    Detalhes do produto

    IGBT para automoción, Fairchild Semiconductor


    Una gama de IGBT Field Stop Trench de Fairchild Semiconductor que se ha sometido a pruebas de tensión y cumple con la norma AEC-Q101.


    Características


    • Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
    • Capacidad de corriente alta
    • Tensión de saturación baja
    • Alta impedancia de entrada
    • Distribución de parámetros estrecha


    Códigos de producto RS



    864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
    864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
    864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
    135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
    135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263 (Paquete de 800)
    864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
    124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247 (Paquete de 30)


    Nota

    Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +100 °C.

    Estándares

    AEC-Q101


    IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


    El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.


    Especificações

    AtributoValor
    Corriente Máxima Continua del Colector40 A
    Tensión Máxima Colector-Emisor650 V
    Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
    Número de transistores1
    Disipación de Potencia Máxima267 W
    Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Tipo de CanalN
    Conteo de Pines2+Tab
    Configuración de transistorSimple
    Dimensiones10.67 x 9.65 x 4.83mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Estándar de automociónAEC-Q101
    Capacitancia de puerta1520pF
    Produto Descatalogado