STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGWA50M65DF2AG Simple, Tipo N-Canal, 119 A, 650 V, TO-247, 3 pines 1 Orificio pasante
- Código RS:
- 215-008
- Referência do fabricante:
- STGWA50M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 215-008
- Referência do fabricante:
- STGWA50M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 119A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 576W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 20.1mm | |
| Anchura | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 119A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 576W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 20.1mm | ||
Anchura 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una estructura de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución de parámetros estrecha resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.
Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Paralelismo más seguro
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