STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, GH50H65DRB2-7AG, 108 A, 650 V, H2PAK-7, 7 pines 1 Superficie
- Código RS:
- 330-362
- Referência do fabricante:
- GH50H65DRB2-7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
2,10 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1850 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,10 € |
| 10 - 99 | 1,93 € |
| 100 - 499 | 1,88 € |
| 500 - 999 | 1,84 € |
| 1000 + | 1,79 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 330-362
- Referência do fabricante:
- GH50H65DRB2-7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 108A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 385W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Anchura | 24.3 mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 108A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 385W | ||
Número de transistores 1 | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 15.25mm | ||
Anchura 24.3 mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La serie 650 HB2 de IGBT más reciente de STMicroelectronics representa una evolución de la avanzada estructura patentada de parada de campo con puerta en zanja. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Cualificado AEC-Q101
Temperatura máxima de unión TJ igual a 175 °C
Serie de conmutación de alta velocidad
Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo
Embalaje conjunto con diodo rectificador de alta resistencia
Excelente rendimiento de conmutación gracias a la clavija kelvin de conducción adicional
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 95 A, H2PAK, Reducción de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG, VDSS 650 V, ID 51 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines, config. Canal
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 95 A, H2PAK, Reducción de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 51 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines, config. Canal N
- IGBT, STGH30H65DFB-2AG, 60 A, 650 V, H2PAK-2 1
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines