STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGHU30M65DF2AG Puerta doble, 84 A, 650 V, HU3PAK, 7 pines 1 Superficie
- Código RS:
- 285-638
- Referência do fabricante:
- STGHU30M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 285-638
- Referência do fabricante:
- STGHU30M65DF2AG
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 84A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 441W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Configuración | Puerta doble | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 11.9mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Altura | 3.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 84A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 441W | ||
Número de transistores 1 | ||
Configuración Puerta doble | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 11.9mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Altura 3.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Este dispositivo de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución de parámetros estrecha resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.
Temperatura de unión máxima TJ = 175 °C
6 μs de tiempo de resistencia de cortocircuito mínimo
Distribución ajustada de los parámetros
Paralelismo más seguro
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación suave y muy rápido
Excelente rendimiento de conmutación gracias a la clavija kelvin de conducción adicional
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